IRF7389SMD SOI-8

MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V Напряжение (Vdss): 30В Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A Емкость @ Vds: 650pF @ 25V Полярность: N and P-Channel Особенности: Logic Level Gate Мощность макcимальная: 2.5Вт Тип монтажа: Поверхностный монтаж Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)